| Время наработки на отказ |
1600000 ч |
| Глубина |
80 |
| Емкость |
512 ГБ |
| Интерфейс PCI-E |
есть |
| Макс. рабочая температура |
70° C |
| Макс. скорость интерфейса |
3940 МБ/с |
| Назначение |
для настольного компьютера |
| Поддержка NVMe |
есть |
| Поддержка секторов размером 4 КБ |
есть |
| Потребляемая мощность |
0.05 |
| Разъем M.2 |
есть |
| Скорость записи |
1625 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) |
275000 |
| Скорость чтения |
3230 |
| Страна производства |
Тайвань (китай) |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) |
288 |
| Тип PCI-E |
PCI-E 3.1 x4 |
| Тип разъема M.2 |
2280, B&M |
| Тип флэш-памяти |
TLC 3D NAND |
| Ударостойкость при работе |
1000 G |
| Ударостойкость при хранении |
1000 G |
| Форм-фактор |
2280 |
| Ширина |
22 |
| Шифрование данных |
есть |
