| Время наработки на отказ |
2000000 ч |
| Высота |
15 |
| Глубина |
100 |
| Дополнительная информация |
Аппаратное шифрование AES 256-bit, End-to-End Data Protection, Enhanced Power Loss Data Protection, радиатор |
| Емкость |
1000 ГБ |
| Интерфейс PCI-E |
есть |
| Макс. рабочая температура |
70° C |
| Макс. скорость интерфейса |
3940 МБ/с |
| Назначение |
для настольного компьютера |
| Поддержка NVMe |
есть |
| Поддержка секторов размером 4 КБ |
есть |
| Потребляемая мощность |
10 |
| Разъем U.2 |
есть |
| Скорость записи |
1100 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) |
70000 |
| Скорость чтения |
2850 |
| Страна производства |
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) |
1920 |
| Тип PCI-E |
PCI-E 3.0 x4 |
| Тип флэш-памяти |
TLC 3D NAND |
| Ударостойкость при работе |
1000 G |
| Ударостойкость при хранении |
1000 G |
| Форм-фактор |
2.5\" |
| Ширина |
69.85 |
| Шифрование данных |
есть |
