| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
39 |
| CAS Latency (CL) |
19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| Количество контактов |
260 |
| Количество модулей в комплекте |
1 |
| Количество рангов |
1 |
| Количество чипов каждого модуля |
16 |
| Напряжение питания |
1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| Объем одного модуля |
4 ГБ |
| Поддержка ECC |
нет |
| Пропускная способность |
21300 МБ/с |
| Радиатор |
нет |
| Страна производства |
Тайвань |
| Тактовая частота |
2666 МГц |
| Тип памяти |
DDR4 |
| Форм-фактор модуля памяти |
SODIMM |
